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三安/国星/洲明/鸿利/光莆等共获国家科技进步奖一等奖

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2020-01-13 作者: 来源:LEDinside 浏览量: 网友评论: 0
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摘要: 1月10日,2019年度国家科学技术奖励大会在北京举行。本次国家科学技术奖共评选出296个项目和12名科技专家、国家最高科学技术奖2人、国家自然科学奖46项、国家技术发明奖65项、国家科学技术进步奖185项以及中华人民共和国国际科学技术合作奖10名外籍专家。

1月10日,2019年度国家科学技术奖励大会在北京举行。本次国家科学技术奖共评选出296个项目和12名科技专家、国家最高科学技术奖2人、国家自然科学奖46项、国家技术发明奖65项、国家科学技术进步奖185项以及中华人民共和国国际科学技术合作奖10名外籍专家。

值得注意的是,由中国科学院半导体研究所,三安光电,华联电子,洲明科技,立德电子,北京良业环境技术,鸿利智汇,国星光电,北京半导体沐鸣2登录照明科技促进中心,光莆股份联合完成的“高光效长寿命半导体沐鸣2登录照明关键技术与产业化”科研成果荣获2019年度国家科技进步奖一等奖。

该项目的主要完成人包括李晋闽,林科闯,王军喜,伊晓燕,刘志强,范玉钵,林洺锋,朱晓东,李国平,袁毅凯,阮军,梁毅,吴晞敏,蔡文必,刘乃鑫。

洲明科技指出,该科研成果的推出与应用,不仅成功解决了半导体沐鸣2登录照明电光转化率低、可靠性差、标准缺失等关键问题,同时实现了全球最大规模的LED芯片技术产业化与核心器件国产化,对LED沐鸣2登录照明产业的发展有着里程碑式的意义:一是解决了传统沐鸣2登录照明产业受制于人的局面。从芯片、封装到应用,不仅全部实现自主创新,更在国际市场占有较大的市场份额,一举打破了欧美企业在国际市场的技术和专利的长期垄断。二是树立了产学研与上下游企业联合创新标杆,让中国LED产品得以在全球市场广泛应用。

据中国证券报报道,三安光电称,此次项目成果包括p型氮化物掺杂与量子阱结构设计、微纳图形化衬底及成核技术、新型缓冲层的高质量氮化物外延技术、激光诱导光提取技术等多项外延芯片技术率先在三安光电进行推广与量产。

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